Proces oczyszczania 7N Tellurium łączy strefy rafinacji i -kierunkowe technologie krystalizacji. Kluczowe szczegóły procesu i parametry są przedstawione poniżej:
1. Proces rafinacji stref
Projektowanie
Multi-warayer łodzie topnienia strefy pierścieniowej : średnica 300–500 mm, wysokość 50–80 mm, wykonana z kwarcu o wysokiej czystości lub graficie.
System heat : półkoliste cewki rezystancyjne o dokładności kontroli temperatury ± 0,5 ° C i maksymalnej temperaturze roboczej 850 ° C.
Parametry kluczowe
Vacuum: ≤1 × 10⁻³ Pa, aby zapobiec utlenianiu i zanieczyszczeniu.
Stref Travel Speed: 2–5 mm/h (obrót jednokierunkowy przez wał napędowy).
GradientTemperature Gradient 725 ± 5 ° C na froncie stopionej strefy, chłodząc do <500 ° C na krawędzi spływu.
Passes: 10–15 cykli; Wydajność usuwania> 99,9% dla zanieczyszczeń ze współczynnikami segregacji <0,1 (np. Cu, Pb).
2. Proces krystalizacji kierunkowej
Preparation
Material: 5N Tellurium oczyszczone przez rafinację strefy.
Warunki do wyładowania : stopione pod obojętnym gazem AR (≥99,999% czystości) w 500–520 ° C przy użyciu ogrzewania indukcyjnego o wysokiej częstotliwości.
Ochrona zabezpieczenia : pokrywa grafitu o dużej czystości w celu stłumienia ulotki; Stopniona głębokość puli utrzymywana na poziomie 80–120 mm.
Kontrola krystalizacji
Szybkość wzrostu 1–3 mm/h z pionowym gradientem temperatury 30–50 ° C/cm.
System dochłania : chłodzona wodą baza miedzi do chłodzenia wymuszonego dna; chłodzenie radiacyjne u góry.
Segregacja bezpieczeństwa Fe, Ni i inne zanieczyszczenia są wzbogacone na granicach ziarna po 3–5 cyklach mmontujących, zmniejszając stężenie do poziomów PPB.
3. Wskaźniki kontroli jakości
Parametr standardowy odniesienie wartości
Ostateczna czystość ≥9999999% (7N)
Całkowite zanieczyszczenia metaliczne ≤0,1 ppm
Zawartość tlenu ≤5 ppm
Odchylenie orientacji kryształów ≤2 °
Rezystywność (300 K) 0,1–0,3 Ω · cm
Process zalety
Skalowalność : wielowarstwowe łodzie topnienia strefy pierścieniowej zwiększają pojemność wsadową o 3–5 × w porównaniu z konwencjonalnymi projektami.
Efektywność : precyzyjna kontrola próżniowa i termiczna umożliwiają wysokie wskaźniki usuwania zanieczyszczeń.
Crystal Quality: Ultra-Slow Wzrost (<3 mm/h) Zapewniają niską gęstość zwichnięcia i integralność pojedynczego kryształu.
Ten wyrafinowany 7N Tellurium ma kluczowe znaczenie dla zaawansowanych zastosowań, w tym detektorów podczerwieni, cienkich komórek słonecznych CDTE i substratów półprzewodnikowych.
Referencje :
Oznacz dane eksperymentalne z recenzowanych badań dotyczących oczyszczania Tellurium.
Czas po: 24-2025