ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਸੇਲੇਨੀਅਮ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ

ਉੱਚ ਪੱਧਰੀ ਸੇਲੇਨੀਅਮ (.99.999%) ਦੇ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਿੱਚ ਸਰੀਰਕ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ methods ੰਗਾਂ ਨੂੰ ਦੂਰ ਕਰਨ ਲਈ ਅਲੱਗ ਅਲੱਗ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਟੀ, ਪੀਬੀ, ਐਫ, ਅਤੇ ਜਿਵੇਂ. ਹੇਠਾਂ ਮੁੱਖ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਅਤੇ ਮਾਪਦੰਡ ਹਨ:

1. ਵੈੱਕਯੁਮ ਡਿਸਟਿਲਟੀਸ਼ਨ

ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦਾ ਪ੍ਰਵਾਹ:

1. ਇੱਕ ਖਲਾਅ ਡਿਸਟਿਲੇਸ਼ਨ ਭੱਠੀ ਦੇ ਅੰਦਰ ਇੱਕ ਕੁਆਰਟਮ ਡਿਸਟਿਲਸ ਦੇ ਅੰਦਰ ਇੱਕ ਕੁਆਰਟਜ਼ ਦੇ ਅੰਦਰ ਕੌਰੋਬਲਜ਼ ਦੇ ਕਰੂਡੇ ਸੇਲੇਨੀਅਮ (≥99.9%) ਨੂੰ ਪਾਰ ਕਰੋ.

2. 60-180 ਮਿੰਟ ਲਈ ਵੈਕਿ um ਮ (1-100 ਪੀ.ਏ.) ਦੇ ਅਧੀਨ 300-500 ° C ਤੇ ਗਰਮੀ.

3. ਇੱਕ ਦੋ-ਪੜਾਅ ਵਾਲੇ ਕੰਡੈਂਸਰ ਵਿੱਚ ਸੇਲੇਨੀਅਮ ਭਾਫ ਦੇ ਸੰਘਣੇ (ਪੀਬੀ / ਕੁਇਲਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਹੇਠਲੇ ਪੜਾਅ, ਸੇਲੇਨੀਅਮ ਸੰਗ੍ਰਹਿ ਲਈ ਵੱਡੇ ਪੜਾਅ ਦੇ ਨਾਲ ਵੱਡੇ ਪੜਾਅ ਦੇ ਨਾਲ).

4. ਵੱਡੇ ਕੰਡੈਂਸਰ ਤੋਂ ਸੇਲੇਨੀਅਮ ਇਕੱਤਰ ਕਰੋ; 碲 (ਟੀ) ਅਤੇ ਹੋਰ ਉੱਚ-ਉਬਾਲ ਕੇ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਹੇਠਲੇ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਰਹਿੰਦੀਆਂ ਹਨ.

ਪੈਰਾਮੀਟਰ:

- ਤਾਪਮਾਨ: 300-500 ° C

- ਦਬਾਅ: 1-100 ਪੀ.ਏ.

- ਕਨਡੇਂਸਰ ਸਮੱਗਰੀ: ਕੁਆਰਟਜ਼ ਜਾਂ ਸਟੀਲ.

2. ਰਸਾਇਣਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ + ਵੈੱਕਯੁਮ ਡਿਸਟਿਲੇਸ਼ਨ

ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦਾ ਪ੍ਰਵਾਹ:

1. ਆਕਸੀਕਰਨ ਬਲਨ: ਸੀਡ ਸੇਲੇਨੀਅਮ (99.9%) ਨੂੰ 500 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਦੇ ਨਾਲ ਐਸਈਓ ਅਤੇ ਟੀਓਅ ਗੈਸਾਂ ਬਣਾਓ.

2. ਸੌਲਵੈਂਟ ਕੱ raction ਣਾ: ਐਥੇਨੋਲ-ਪਾਣੀ ਦੇ ਹੱਲ ਵਿੱਚ seo₂ she she ਭੰਗ.

3. ਕਮੀ: ਐਸਈਓ ਨੂੰ ਐਲੀਮੈਂਟਲ ਸੇਲੇਨੀਅਮ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ ਹਾਈਡ੍ਰਾਜ਼ਿਨ (ਐਨਐਚ) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ.

4. ਡੂੰਘੇ ਡੀ-ਟੀਈ: SALIDIBE SEXIDIIB SEO₄²⁻ ਨੂੰ, ਫਿਰ ਘੋਲਨ ਵਾਲੇ ਕੱ raction ਣ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਐਕਸਟਰੈਕਟ ਕਰੋ.

5. ਅੰਤਮ ਵੈੱਕਯੁਮ ਡਿਸਟਿਲੇਸ਼ਨ: ਸੇਲੇਨੀਅਮ ਨੂੰ 65-500 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਅਤੇ 1-100 ਪੀਏ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ 1-100 ਪੀਏ (99.999%) ਸ਼ੁੱਧਤਾ.

ਪੈਰਾਮੀਟਰ:

- ਆਕਸੀਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ: 500 ° C

- ਹਾਈਡ੍ਰਾਜ਼ਿਨ ਖੁਰਾਕ: ਪੂਰੀ ਕਮੀ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਵਧੇਰੇ.

3. ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ

ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦਾ ਪ੍ਰਵਾਹ:

1. 5-10 ਏ / ਡੀਐਮਯੂ ਦੀ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ (ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸੇਲੇ ਐਸਿਡ) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ.

2. ਕੈਥੋਡ ਤੇ ਸੇਲੇਨੀਅਮ ਜਮ੍ਹਾਂ ਰਕਮ, ਜਦੋਂਕਿ ਐਨੋਡ ਤੇ ਸੇਲੇਨੀਅਮ ਆਕਾਸ਼ਾਂ ਦੀ ਪੂਰਨਤਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ.

ਪੈਰਾਮੀਟਰ:

- ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ: 5-10 a / dm²

- ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਅਲਾਈਟ: ਸੇਲੈਨਸ ਐਸਿਡ ਜਾਂ ਸੇਲੇਨੇਟ ਹੱਲ.

4. ਘੋਲਨ ਵਾਲਾ ਕੱ raction ਣਾ

ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦਾ ਪ੍ਰਵਾਹ:

1. ਟੀਬੀਪੀ (ਟ੍ਰਿਬਿਟਰਿਕਲ ਫਾਸਫੇਟ) ਜਾਂ ਟੋਆ (ਟ੍ਰਾਇਓਕਟੋਲਿਕ ਜਾਂ ਸਲਫੁਰਿਕ ਐਸਿਡ ਮੀਡੀਆ ਵਿਚ) ਟੀਬੀਪੀ (ਟ੍ਰਿਬਿਟਰਿਕਲਾਮਾਈਨ) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਘੋਲ ਤੋਂ ਬਾਹਰ ਕੱ .ੋ.

2. ਪੱਟੀ ਅਤੇ ਰੀਸਪੇਸ ਟੀ ਸੇਲਨੀਅਮ, ਫਿਰ ਰੀਵਾਈਲ ਕਰੋ.

ਪੈਰਾਮੀਟਰ:

- ਐਕਸਟਰੈਕਟੈਂਟ: ਟੀਬੀਪੀ (ਐਚਸੀਐਲ ਮਾਧਿਅਮ) ਜਾਂ ਟੋਆ (ਐਚ.ਐਨ.ਐੱਸ.-ਮਾਧਿਅਮ)

- ਪੜਾਵਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ: 2-3.

5. ਜ਼ੋਨ ਪਿਘਲਣਾ

ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦਾ ਪ੍ਰਵਾਹ:

1. ਟਰੇਸ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਨੂੰ ਦੂਰ ਕਰਨ ਲਈ ਵਾਰ ਵਾਰ ਜ਼ੋਨ-ਪਿਘਲਿਗਿਨਸ.

2. ਉੱਚ ਪੱਧਰੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਸਮੱਗਰੀ ਤੋਂ 5n ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ suitable ੁਕਵਾਂ.

ਨੋਟ: ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ energy ਰਜਾ-ਤੀਬਰ ਹੈ.

ਚਿੱਤਰ ਸੁਝਾਅ

ਵਿਜ਼ੂਅਲ ਹਵਾਲੇ ਲਈ, ਸਾਹਿਤ ਦੇ ਹੇਠ ਦਿੱਤੇ ਅੰਕੜੇ ਵੇਖੋ:

- ਵੈੱਕਯੁਮ ਡਿਸਟਿ .ਸ਼ਨ ਸੈਟਅਪ: ਦੋ-ਪੜਾਅ ਵਾਲੇ ਕੰਡੈਂਸਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਦੀ ਯੋਜਨਾਬੱਧਤਾ.

- ਸੇ-ਤੇ ਫੇਜ਼ ਚਿੱਤਰ: ਨਜ਼ਦੀਕੀ ਉਬਾਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂਆਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਚੁਣੌਤੀਆਂ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ.

ਹਵਾਲੇ

- ਵੈੱਕਯੁਮ ਡਿਸਟਿਲੇਸ਼ਨ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ methods ੰਗ:

- ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਅਤੇ ਘੋਲਨ ਵਾਲਾ ਕੱ raction ਣਾ:

- ਤਕਨੀਕੀ ਤਕਨੀਕ ਅਤੇ ਚੁਣੌਤੀਆਂ: