Theelurium Clarstal ကြီးထွားမှုနှင့်နည်းပညာဆိုင်ရာသတ်မှတ်ချက်များနှင့်အတူအသေးစိတ်အချက်အလက်များ

7n of TheyUrium Purification Purification သည်ဇုန်သန့်စင်ခြင်းနှင့် directional crystallization နည်းပညာပေါင်းစပ်ထားသည်။ အဓိကဖြစ်စဉ်အသေးစိတ်နှင့် parameters များကိုအောက်တွင်ဖော်ပြထားသည်။

1 ။ ဇုန်သန့်စင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်
ပစ္စည်းကိရိယာဒီဇိုင်း

Multi-layer onluar on on onlight akting လှေများ - အချင်း 300-500 မီလီမီတာ, အမြင့် 50-80 မီလီမီတာ, အမြင့် 50-80 မီလီမီတာ, အမြင့် 50-80 မီလီမီတာ, အမြင့် 50-80 မီလီမီတာ။
အပူချိန် - အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုနှင့်အတူအပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုနှင့်အတူ semi- မြို့ပတ်ရထားခံနိုင်ရည်ရှိသောကွိုင်± 0.5 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်နှင့်အများဆုံးလည်ပတ်အပူချိန် 850 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အပူချိန်။
အဓိက parameters တွေကို

လေဟာနယ်: ≤1×10⁻³ Pa သည်ဓာတ်တိုးခြင်းနှင့်ညစ်ညမ်းမှုကိုကာကွယ်ရန်အတွက်။
ဇုန်ခရီးသွားမြန်နှုန်း - 2-5 MM / H (drive ကိုရိုးတံမှတဆင့် unidirectional လည်ပတ်) ။
အပူချိန် gradient: 725 ± 5 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ရှိ Molten Zone ရှေ့တွင်, <500 ° C ရှိ <500 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်သို့အအေး။
ဖြတ်သန်း: 10-15 သံသရာ; ဖယ်ရှားရေးအကျိုးဖြစ်ထွန်းမှု> အသားအရောင်ခွဲခြားမှုဆိုင်ရာအညစ်အကြေးများနှင့်အတူ 99.9% <0.1 (ဥပမာ, Cu, PB) ။
2 ။ directional crystallization လုပ်ငန်းစဉ်
အရည်ပျော်ပြင်ဆင်မှု

ပစ္စည်း: 5n othurium သကြားလုံးနယ်နိမိတ်သန့်စင်ခြင်းမှတဆင့်စင်ကြယ်သည်။
အရည်ပျော်သောအခြေအနေများ - ကြိမ်နှုန်း 500-520 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် inert ar ဓာတ်ငွေ့ (≥99999% သန့်ရှင်းရေး) အောက်တွင်အရည်ပျော်သည်။
အရည်ပျော်သောအကာအကွယ်ပေးမှု - မတည်ငြိမ်မှုကိုနှိမ်နင်းရန်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောဖိုက်အဖုံး; Molten ရေကူးကန်အတိမ်အနက်ကို 80-120 မီလီမီတာထိန်းသိမ်းထားသည်။
crystall ကိုထိန်းချုပ်မှု

ကြီးထွားမှုနှုန်း - 1-3 မီလီမီတာ mm / h 30-50 ဒီဂရီစင်တီဂမ် / စင်တီမီတာ။
အအေးခံခြင်းစနစ် - အတင်းအဓမ္မအအေးအတွက်ရေအေးအေးသောကြေးနီအခြေစိုက်စခန်း, ထိပ်မှာဓါတ်ရောင်ခြည်အအေး။
အပြိုင်အဆိုင်အသေအချာ - FE, NI နှင့်အခြားအညစ်အကြေးများက 3-5 ကိုဖယ်ရှားခြင်း,
3 ။ အရည်အသွေးထိန်းချုပ်ရေးမက်ထရစ်
Parameter Standard Value ကိုကိုးကားစရာ
နောက်ဆုံးသန့်စင်မှု≥99.99999% (7n)
စုစုပေါင်းသတ္တုအညစ်အကြေး≤0.1 ppm
အောက်စီဂျင်အကြောင်းအရာ≤5 ppm
Crystal Orientation သွေဖည်≤2°
တော်လှန်ခြင်း (300 K) 0.1-0.3 ωω
လုပ်ငန်းစဉ်အားသာချက်များ
အချည်းနှီးသက်ရှိမှု
ထိရောက်မှု - အတိအကျလေဟာနယ်နှင့်အပူထိန်းချုပ်မှုသည်မြင့်မားသောအညစ်အကြေးဖယ်ရှားခြင်းနှုန်းကိုဖွင့်ပေးသည်။
Crystal အရည်အသွေး - Ultra - နှေးကွေးသောတိုးတက်မှုနှုန်း (<3 MM / H) သည် dislocation သိပ်သည်းဆနှင့်တစ်ကိုယ်ရေရေးသွင်ပြင်လက္ခဏာများကိုသေချာစေသည်။
7n Returium သည်အနီအောက်ရောင်ခြည်ပါးလွှာသောမြင်ကွင်းများဖြစ်သော Solar ဆဲလ်များနှင့် semiconductor အလွှာများအပါအ 0 င်အဆင့်မြင့်အပလီကေးနီယမ်ကိုပြန်လည်စစ်ဆေးသည်။

ကိုးကားချက်များ -
TheTurium purification တွင်သက်တူရွယ်တူပြန်လည်သုံးသပ်လေ့လာမှုများမှစမ်းသပ်အချက်အလက်များကိုဖော်ပြခြင်း။