‌7n ಟೆಲ್ಲುರಿಯಮ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆ ಮತ್ತು ತಾಂತ್ರಿಕ ನಿಯತಾಂಕಗಳೊಂದಿಗೆ ಶುದ್ಧೀಕರಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ವಿವರಗಳು

7 ಎನ್ ಟೆಲ್ಲುರಿಯಮ್ ಶುದ್ಧೀಕರಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು one one ೋನ್ ರಿಫೈನಿಂಗ್ ಮತ್ತು ‌ ನಿರ್ದೇಶನ ಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣ ‌ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ. ಪ್ರಮುಖ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ವಿವರಗಳು ಮತ್ತು ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಕೆಳಗೆ ವಿವರಿಸಲಾಗಿದೆ:

‌1. ವಲಯ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ-
ಎಕ್ವಿಪ್ಮೆಂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸ-

-ಮಲ್ಟಿ-ಲೇಯರ್ ವಾರ್ಷಿಕ ವಲಯ ಕರಗುವ ದೋಣಿಗಳು: ವ್ಯಾಸ 300–500 ಮಿಮೀ, ಎತ್ತರ 50–80 ಮಿಮೀ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಸ್ಫಟಿಕ ಶಿಲೆ ಅಥವಾ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ನಿಂದ ಮಾಡಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ.
‌ ಹೈಟಿಂಗ್ ಸಿಸ್ಟಮ್: ತಾಪಮಾನ ನಿಯಂತ್ರಣ ನಿಖರತೆ ± 0.5 ° C ಮತ್ತು ಗರಿಷ್ಠ 850 ° C ನ ಗರಿಷ್ಠ ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನದೊಂದಿಗೆ ಅರೆ-ವೃತ್ತಾಕಾರದ ನಿರೋಧಕ ಸುರುಳಿಗಳು.
‌Kee ನಿಯತಾಂಕಗಳು

‌Vacuum‌: ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಮತ್ತು ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟಲು ≤1 × 10⁻³ Pa ಉದ್ದಕ್ಕೂ.
One ೋನ್ ಟ್ರಾವೆಲ್ ಸ್ಪೀಡ್: 2-5 ಮಿಮೀ/ಗಂ (ಡ್ರೈವ್ ಶಾಫ್ಟ್ ಮೂಲಕ ಏಕ ದಿಕ್ಕಿನ ತಿರುಗುವಿಕೆ).
‌ ಟೆಂಪರೇಚರ್ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ‌: ಕರಗಿದ ವಲಯದ ಮುಂಭಾಗದಲ್ಲಿ 725 ± 5 ° C, ಹಿಂದುಳಿದ ಅಂಚಿನಲ್ಲಿ <500 ° C ಗೆ ತಂಪಾಗಿಸುತ್ತದೆ.
‌Pases‌: 10–15 ಚಕ್ರಗಳು; ತೆಗೆಯುವ ದಕ್ಷತೆ> ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆಯ ಗುಣಾಂಕಗಳೊಂದಿಗಿನ ಕಲ್ಮಶಗಳಿಗೆ 99.9% <0.1 (ಉದಾ., ಕ್ಯು, ಪಿಬಿ).
‌2. ದಿಕ್ಕಿನ ಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ‌
ಸಿದ್ಧತೆ-

‌Material‌: 5n ಟೆಲ್ಲುರಿಯಮ್ ವಲಯ ಸಂಸ್ಕರಣೆಯ ಮೂಲಕ ಶುದ್ಧೀಕರಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ.
-ಮೆಲ್ಟಿಂಗ್ ಷರತ್ತುಗಳು-: ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಪ್ರಚೋದನೆ ತಾಪನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು 500–520 at C ನಲ್ಲಿ ಜಡ ಎಆರ್ ಅನಿಲ (≥99.999% ಶುದ್ಧತೆ) ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಕರಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
‌ ಕರಗುವಿಕೆ ರಕ್ಷಣೆ-: ಚಂಚಲತೆಯನ್ನು ನಿಗ್ರಹಿಸಲು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಕವರ್; ಕರಗಿದ ಪೂಲ್ ಆಳವನ್ನು 80-120 ಮಿ.ಮೀ.
ಕ್ರೈಸ್ಟಾಲೈಸೇಶನ್ ನಿಯಂತ್ರಣ-

Grow ಗ್ರೋತ್ ದರ ‌: 30-50 ° C/cm ನ ಲಂಬ ತಾಪಮಾನದ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್‌ನೊಂದಿಗೆ 1–3 ಮಿಮೀ/ಗಂ.
-ಕೂಲಿಂಗ್ ಸಿಸ್ಟಮ್: ಬಲವಂತದ ಕೆಳಭಾಗದ ತಂಪಾಗಿಸುವಿಕೆಗಾಗಿ ನೀರು-ತಂಪಾಗುವ ತಾಮ್ರದ ಬೇಸ್; ಮೇಲ್ಭಾಗದಲ್ಲಿ ವಿಕಿರಣ ತಂಪಾಗಿಸುವಿಕೆ.
-ಅಂಪರಿಟಿ ಪ್ರತ್ಯೇಕೀಕರಣ-: ಎಫ್‌ಇ, ನಿ, ಮತ್ತು ಇತರ ಕಲ್ಮಶಗಳು 3–5 ರೀನ್ ರಿಮೆಲ್ಟ್ ಚಕ್ರಗಳ ನಂತರ ಧಾನ್ಯದ ಗಡಿಗಳಲ್ಲಿ ಸಮೃದ್ಧವಾಗಿವೆ, ಪಿಪಿಬಿ ಮಟ್ಟಕ್ಕೆ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
‌3. ಗುಣಮಟ್ಟದ ನಿಯಂತ್ರಣ ಮಾಪನಗಳು-
ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಮೌಲ್ಯ ಉಲ್ಲೇಖ
ಅಂತಿಮ ಶುದ್ಧತೆ ≥99.99999% (7 ಎನ್)
ಒಟ್ಟು ಲೋಹೀಯ ಕಲ್ಮಶಗಳು ≤0.1 ಪಿಪಿಎಂ
ಆಮ್ಲಜನಕದ ಅಂಶ ≤5 ಪಿಪಿಎಂ
ಸ್ಫಟಿಕ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ವಿಚಲನ ≤2 °
ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ (300 ಕೆ) 0.1–0.3 Ω · ಸೆಂ
Roce process advactic
Acclaplibility
‌Efficition‌: ನಿಖರವಾದ ನಿರ್ವಾತ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ನಿಯಂತ್ರಣವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಅಶುದ್ಧ ತೆಗೆಯುವ ದರಗಳನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.
‌ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಗುಣಮಟ್ಟ-: ಅಲ್ಟ್ರಾ-ನಿಧಾನಗತಿಯ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ದರಗಳು (<3 ಮಿಮೀ/ಗಂ) ಕಡಿಮೆ ಸ್ಥಳಾಂತರಿಸುವ ಸಾಂದ್ರತೆ ಮತ್ತು ಏಕ-ಸ್ಫಟಿಕದ ಸಮಗ್ರತೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸುತ್ತದೆ.
ಅತಿಗೆಂಪು ಪತ್ತೆಕಾರಕಗಳು, ಸಿಡಿಟಿ ತೆಳು-ಚಲನಚಿತ್ರ ಸೌರ ಕೋಶಗಳು ಮತ್ತು ಅರೆವಾಹಕ ತಲಾಧಾರಗಳು ಸೇರಿದಂತೆ ಸುಧಾರಿತ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಿಗೆ ಈ ಸಂಸ್ಕರಿಸಿದ 7 ಎನ್ ಟೆಲ್ಲುರಿಯಮ್ ನಿರ್ಣಾಯಕವಾಗಿದೆ.

‌References-:
ಟೆಲ್ಲುರಿಯಮ್ ಶುದ್ಧೀಕರಣದ ಕುರಿತು ಪೀರ್-ರಿವ್ಯೂಡ್ ಅಧ್ಯಯನಗಳಿಂದ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಡೇಟಾವನ್ನು ಸೂಚಿಸಿ.