7N Tellurium тазарту процесі аймақты қайта өңдеу және кристалданудың бағыттарын біріктіреді. Негізгі процестің мәліметтері мен параметрлері төменде көрсетілген:
1. Айналмалы өңдеу процесі
Жабдықты дизайн
Көп қабатты аймақты ерітетін қайықтар: диаметрі 300-500 мм, биіктігі 300-500 мм, биіктігі 50-80 мм, жоғары тазалық кварц немесе графиттен жасалған.
Жылыту жүйесі: температураны бақылаудың дәлдігі ± 0,5 ° C және 850 ° C температурасын басқару дәлдігі бар жартылай дөңгелек катушкалар.
Негізгі параметрлер
Вакуум: тотығу мен ластанудың алдын алу үшін PA бар.
Аймақтық сапар жылдамдығы: 2-5 мм / сағ (жетек білігі арқылы бір бағытты айналдыру).
Температура градиенті: 725 ± 5 ° C Майланған кезде, алдыңғы шетінен <500 ° C дейін салқындатыңыз.
Өткізіледі: 10-15 цикл; Жою тиімділігі> Бөлек коэффициенттері бар қоспалар үшін 99,9% <0.1 (мысалы, КО, ПБ).
2. Бағыт кристалдану процесі
Балқыманы дайындау
Материал: 5N Tellurium аймақты қайта өңдеу арқылы тазартады.
Ерітілетін жағдайлар: Inster AR GAZ-та ерітілген (≥99.999%), жоғары жиілікті индукциялық жылытуды қолдану арқылы 500-520 ° C температурада.
Ерітінді қорғау: құюды болдырмау үшін жоғары сапалы графит мұқабасы; Балқытылған бассейн тереңдігі 80-120 мм.
Кристалдануды басқару
Өсім деңгейі: тік температуралы градиентпен 30-50 ° C / см. 1-3 мм / сағ.
Салқындату жүйесі: суытылған мыс негізі, мәжбүрлеп салқындатуға арналған мыс негізі; жоғарғы жағындағы радиациялық салқындату.
Кесу: Fe, NI, және басқа қоспалар 3-5 қайта өңдеу циклынан кейін астық шекарасында байытылған, олар PPB деңгейлеріне концентрацияны азайтады.
3. Сапаны бақылау метрикалары
Параметр стандартты мән сілтемесі
Қорытынды тазалық ≥99.99999% (7n)
Жалпы металл қоспалар ≤0.1 PPM
Оттегі мөлшері ≤5 PPM
Кристаллға бағдарлау ауытқуы ≤2 °
Тұруға төзімділік (300 К) 0,1-0.3 · · См
Процесс артықшылықтары
Мазмұндылық: Көп қабатты аймақтық еріткіштерді ерітетін қайықтар кәдімгі дизайнмен салыстырғанда партиялық қуаттылықты 3-5 × өседі.
Тиімділік: Нақты вакуумдық және жылу бақылауы жоғары қоспаны кетіру жылдамдығын қамтамасыз етеді.
Кристалл сапасы: ультра баяу өсу қарқыны (<3 мм / сағ), дислокацияның аз мөлшерін және бір кристалды тұтастықты қамтамасыз етеді.
Бұл нақтыланған 7N Tellurium алдыңғы қатарлы қосымшалар үшін, соның ішінде инфрақызыл детекторлар, CDT жұқа пленка күн батареялары және жартылай өткізгіш субстрат үшін өте маңызды.
Сілтемелер:
Теллурийді тазарту бойынша рецензияланған зерттеулерден тәжірибелік мәліметтерді анықтайды.
POST TIME: MAR-24-2025