ゾーン融解技術の新しい開発

1。
シリコンベースの材料：シリコン単結晶の純度は、フローティングゾーン（FZ）メソッドを使用して‌13N（99.9999999999％）を超えており、高出力半導体デバイス（例えば、IGBTS）およびAdvanced Chips45のパフォーマンスを大幅に向上させました。この技術は、るつぼを含まないプロセスを介して酸素汚染を減らし、シランCVDと修正されたシーメンス法を統合して、ゾーンメリティンググレードのポリシリコン47の効率的な生産を実現します。
Germanium Materials‌：最適化されたゾーン融解精製により、ゲルマニウム純度が‌13N°に上昇し、不純物分布係数が改善され、赤外線光学および放射線検出器のアプリケーションが可能になります。23。ただし、高温での溶融ゲルマニウムと装備材料との相互作用は、依然として重要な課題であり続けています23。
2
dynamicパラメーター制御：ゾーンの移動速度、温度勾配、および保護ガス環境の溶融環境の調整 - リアルタイムの監視および自動フィードバックシステムと相まって、ゲルマニウム/シリコンと装備の相互作用を最小限に抑えながら、プロセスの安定性と再現性が向上します。27。
Polysilicon生産：ゾーン溶融グレードポリシリコンのための新しいスケーラブルな方法酸素コンテンツの制御課題に対処し、エネルギー消費量を減らし、収量を増やします47。
3。
melt結晶化ハイブリダイゼーション：低エネルギー溶融結晶結晶化技術は、有機化合物の分離と精製を最適化するために統合されており、医薬品中間体および細かい化学物質のゾーン融解アプリケーションを拡大します6。
‌世代半導体：ゾーン融解は、炭化中の炭酸塩（SIC）‌や窒化ガリウム（GAN）‌など、高周波数および高温デバイスをサポートするようなワイドバンドギャップ材料に適用されます。たとえば、液相単一結晶炉技術は、正確な温度制御を介して安定したSIC結晶成長を可能にします15。
4。
‌Hotovoltaics：ゾーン溶融グレードのポリシリコンは、高効率太陽電池で使用され、光電気変換効率を達成し、26％‌および再生可能エネルギーの進歩を促進します4。
frared frared and Detector Technologiese：超高性度ゲルマニウムは、軍事、安全、および民間市場向けの小型化された高性能の赤外線イメージングおよび夜間視力装置23を有効にします。23。
5。
utim延の除去制限：現在の方法は、光の要素不純物（例えば、ホウ素、リン）の除去に苦労し、新しいドーピングプロセスまたは動的溶融ゾーン制御技術を必要とします25。
監視耐久性とエネルギー効率：研究は、高温耐性の耐食性るつぼ材料の開発に焦点を当てており、エネルギー消費を削減し、機器の寿命を延ばすために無線周波数加熱システムを備えています。真空アークリメルティング（VAR）テクノロジーは、金属精製の可能性を示しています47。
ゾーン融解技術は、純度が高く、コストが低く、より広範な適用性に向かって進んでおり、半導体、再生可能エネルギー、およびオプトエレクトロニクスの礎石としての役割を固めています。