‌7nテルリウムクリスタルの成長と精製プロセスの詳細は、技術的なパラメーターを使用しています‌

7n Tellurium精製プロセスは、Zone refining‌および‌方向結晶化技術を組み合わせています。主要なプロセスの詳細とパラメーターの概要を以下に示します。

‌1。ゾーン精製プロセス‌
equipment Design ‌

multi-layer環状ゾーン溶融船：直径300〜500 mm、高さ50〜80 mm、高純度の石英またはグラファイトで作られています。
heatingシステム‌：温度制御精度が±0.5°Cと850°Cの最大動作温度を備えた半円形の抵抗コイル。
‌キーパラメータ‌

‌vacuum‌：酸化と汚染を防ぐために、全体にわたって1×10⁻³全体。
‌ゾーン移動速度：2〜5 mm/h（ドライブシャフトを介した一方向回転）。
semperature Gradient‌：溶融ゾーンフロントで725±5°C、後縁で500°C未満に冷却します。
passess：10–15サイクル。分離係数<0.1（例えば、Cu、Pb）の不純物の除去効率> 99.9％。
‌2。方向性結晶化プロセス
‌メルト準備‌

‌材料：5Nテルリウムゾーン精製により精製されました。
材料条件‌：高周波誘導加熱を使用して、500〜520°Cで不活性ARガス（≥99.999％純度）で溶けます。
vert揮発を抑制するための高純度のグラファイトカバー。溶融プール深さは80〜120 mmに維持されています。
clystallizationコントロール‌

成長率‌：30〜50°C/cmの垂直温度勾配を備えた1〜3 mm/h。
Cooling System：強制底部冷却のための水冷銅ベース。上部の放射冷却。
vise盛な分離：Fe、Ni、およびその他の不純物は、3〜5回のリメルスサイクルの後、粒界で濃縮され、濃度がPPBレベルに減少します。
‌3。品質管理メトリック
パラメーター標準値参照
最終純度≥99.99999％（7n）
総金属不純物≤0.1ppm
酸素含有量≤5ppm
クリスタル方向偏差≤2°
抵抗率（300 K）0.1–0.3Ω・cm
processの利点‌
scalability：多層環状ゾーン溶融船は、従来のデザインと比較してバッチ容量を3〜5倍増加させます。
効率性：正確な真空と熱制御により、高い不純物除去率が可能になります。
clocrystal Quality‌：超スロー成長率（<3 mm/h）は、低い転位密度と単結晶の完全性を確保します。
この洗練された7N Telluriumは、赤外線検出器、CDTE薄膜太陽電池、半導体基質など、高度な用途にとって重要です。

参照‌：
テルリウム精製に関する査読済みの研究からの実験データを示します。