‌7 એન ટેલ્યુરિયમ ક્રિસ્ટલ ગ્રોથ અને પ્યુરિફિકેશન પ્રક્રિયા વિગતો તકનીકી પરિમાણો સાથે

7 એન ટેલ્યુરિયમ શુદ્ધિકરણ પ્રક્રિયા ‌ ઝોન રિફાઇનિંગ અને ‌ ડિરેક્શનલ સ્ફટિકીકરણ - તકનીકીઓને જોડે છે. કી પ્રક્રિયા વિગતો અને પરિમાણો નીચે દર્શાવેલ છે:

‌1. ઝોન રિફાઈનિંગ પ્રક્રિયા -
Equipment ડિઝાઇન‌

‌ મલ્ટિ-લેયર એન્યુલર ઝોન ગલન બોટ: વ્યાસ 300–500 મીમી, height ંચાઈ 50-80 મીમી, ઉચ્ચ-શુદ્ધિકરણ ક્વાર્ટઝ અથવા ગ્રેફાઇટથી બનેલી.
Hying હિટિંગ સિસ્ટમ‌: ± 0.5 ° સે તાપમાન નિયંત્રણની ચોકસાઈ અને મહત્તમ operating પરેટિંગ તાપમાન 850 ° સે સાથે અર્ધવર્તુળાકાર પ્રતિકારક કોઇલ.
‌ કી પરિમાણો

‌Vacuum‌: ox ક્સિડેશન અને દૂષણને રોકવા માટે ≤1 × 10⁻ ⁻ પા.
‌ ઝોન ટ્રાવેલ સ્પીડ‌: 2-5 મીમી/કલાક (ડ્રાઇવ શાફ્ટ દ્વારા એકીકૃત પરિભ્રમણ).
Tempreaterreature ગ્રેડિએન્ટ‌: પીગળેલા ઝોન ફ્રન્ટ પર 725 ± 5 ° સે, પાછળની ધાર પર <500 ° સે ઠંડક.
‌ પાસેસ: 10-15 ચક્ર; દૂર કરવાની કાર્યક્ષમતા> અલગતા ગુણાંક <0.1 (દા.ત., ક્યુ, પીબી) સાથેની અશુદ્ધિઓ માટે 99.9%.
‌2. દિશાત્મક સ્ફટિકીકરણ પ્રક્રિયા -
Mel મેલ્ટ તૈયારી‌

Ater મ ter ટરીયલ‌: 5 એન ટેલ્યુરિયમ ઝોન રિફાઇનિંગ દ્વારા શુદ્ધ.
Mel મેલ્ટિંગ શરતો‌: ઉચ્ચ-આવર્તન ઇન્ડક્શન હીટિંગનો ઉપયોગ કરીને 500–520 ° સે પર નિષ્ક્રિય એઆર ગેસ (≥99.999% શુદ્ધતા) હેઠળ ઓગાળવામાં.
El મેલ્ટ પ્રોટેક્શન‌: અસ્થિરતાને દબાવવા માટે ઉચ્ચ-શુદ્ધતા ગ્રાફાઇટ કવર; પીગળેલા પૂલની depth ંડાઈ 80-120 મીમી પર જાળવવામાં આવે છે.
Ry ક્રિસ્ટાલીઝેશન નિયંત્રણ‌

-ગન દર: 30-50 ° સે/સે.મી.ના vert ભી તાપમાન grad ાળ સાથે 1–3 મીમી/કલાક.
Ul કૂલિંગ સિસ્ટમ‌: દબાણયુક્ત તળિયા ઠંડક માટે પાણીથી કૂલ્ડ કોપર બેઝ; ટોચ પર કિરણોત્સર્ગ ઠંડક.
‌ ઇમ્પ્યુરિટી સેગ્રેગેશન‌: ફે, ની અને અન્ય અશુદ્ધિઓ –-– રેમેલિંગ ચક્ર પછી અનાજની સીમાઓ પર સમૃદ્ધ થાય છે, જે પીપીબી સ્તર સુધી સાંદ્રતા ઘટાડે છે.
‌3. ગુણવત્તા નિયંત્રણ મેટ્રિક્સ
પરિમાણ મૂલ્ય સંદર્ભ
અંતિમ શુદ્ધતા ≥99.99999% (7 એન)
કુલ ધાતુની અશુદ્ધિઓ ≤0.1 પીપીએમ
ઓક્સિજન સામગ્રી ≤5 પીપીએમ
ક્રિસ્ટલ ઓરિએન્ટેશન વિચલન ≤2 °
પ્રતિકારકતા (300 કે) 0.1–0.3 ω · સે.મી.
Adv
Ala સ્કેલેબિલીટી: મલ્ટિ-લેયર એન્યુલર ઝોન ગલન બોટ પરંપરાગત ડિઝાઇનની તુલનામાં બેચ ક્ષમતામાં 3-5 × વધે છે.
Effectivisicy: ચોક્કસ શૂન્યાવકાશ અને થર્મલ નિયંત્રણ ઉચ્ચ અશુદ્ધતા દૂર કરવાના દરને સક્ષમ કરે છે.
Ry ક્રિસ્ટલ ક્વોલિટી‌: અલ્ટ્રા-સ્લો ગ્રોથ રેટ (<3 મીમી/કલાક) ઓછી અવ્યવસ્થા ઘનતા અને સિંગલ-ક્રિસ્ટલ અખંડિતતાની ખાતરી કરે છે.
ઇન્ફ્રારેડ ડિટેક્ટર, સીડીટી પાતળા-ફિલ્મ સોલર સેલ્સ અને સેમિકન્ડક્ટર સબસ્ટ્રેટ્સ સહિતના અદ્યતન એપ્લિકેશનો માટે આ શુદ્ધ 7 એન ટેલ્યુરિયમ મહત્વપૂર્ણ છે.

‌ સંદર્ભ:
ટેલ્યુરિયમ શુદ્ધિકરણ પરના પીઅર-સમીક્ષા કરેલા અભ્યાસના પ્રાયોગિક ડેટા સૂચવો.