7N Segurium Crystal Grows and Detalye nga Mga Detalye sa Mga Pari sa Eskundaryo

Ang 2.n nga proseso sa paglimpiyo sa Slowurium naghiusa sa pagpino sa sona ug direksyon sa mga teknolohiya sa crystallization. Ang mga detalye sa proseso sa PROSESO ug mga parameter gilatid sa ubos:

1. Proseso sa pagpino sa sona
Disenyo sa Kagamitan

Multi-layer Annular Zone Melting Boats: Diameter 300-500 mm, Taas nga 50-80 mm, nga hinimo sa high-kaputli nga quartz o graphite.
Sistema sa Pagpainit: Mga Semi-Circular Supak nga Coils nga adunay katukma sa pagkontrol sa temperatura nga ± 0.5 ° C ug usa ka labing taas nga operating temperatura nga 850 ° C.
Yawe nga mga Parameter

Vacuum: ≤1 × 10⁻³ Pa sa Paagi aron mapugngan ang oksihenasyon ug kontaminasyon.
Ang tulin nga pagbiyahe sa zone: 2-5 mm / h (dili mapugngan nga rotation pinaagi sa gimaneho nga shaft).
Ang temperatura nga gradient: 725 ± 5 ° C sa Molten Zone Front, nga nagabugnaw sa <500 ° C sa Trailing Edge.
Ipasa: Mga siklo sa 10-15; Ang pagkaayo sa pagtangtang> 99.9% alang sa mga impurities nga adunay mga coefficient sa Segregation <0.1 (pananglitan, Cu, PB).
2. Proseso sa Direksyon nga Crystallization
Matunaw ang pagpangandam

Materyal: 5n Slowurium nga gihinloan pinaagi sa pagpino sa zone.
Katapusan nga mga Kondisyon: Natunaw ubos sa Interer Ara Gas Gas (≥99.999% Kaputli) sa 500-520 ° C gamit ang taas nga induksiyon nga pag-init.
Matunaw ang proteksyon: Taas-kaputli graphite cover aron mapugngan ang pagbiaybiay; Ang giladmon sa Molten Pool nagpadayon sa 80-120 mm.
Kontrol sa Crystallization

Pagtubo sa rate: 1-3 mm / H nga adunay usa ka bertikal nga temperatura nga gradient nga 30-50 ° C / CM.
Sistema sa Clowing: Base sa Copper sa Tubig nga Tubig alang sa Pinansahon nga Bottom Sourter; Ang pagpabugnaw sa radiative sa taas.
Ang pagbulag sa kahugawan: Fe, NI, ug uban pang mga kahugawan nga nahimo sa mga utlanan sa lugas pagkahuman sa 3-5 nga mga siklo sa paghukum, pagkunhod sa mga konsentrasyon sa lebel sa PPB.
3. Kalidad nga pagkontrol sa mga sukatan
Sumbanan nga Pakigpulong sa Pamaagi sa Parameter
Katapusan nga Putority ≥99.99999% (7N)
Total nga metal nga impurities ≤0.1 ppm
Oxygen nga sulud ≤5 ppm
Crystal Orientation Deviation ≤2 °
Pagsukol (300 K) 0.1-0.3 ω · cm
Mga bentaha sa proseso
Scalability: Multi-layer Annular Zone Melting Boats nagdugang katakus sa batch sa 3-5 ° KOMPLEARD.
Kahusayan: tukma nga vacuum ug thermal control nga makahimo sa taas nga mga rate sa pagtangtang sa kahugawan.
Ang kalidad sa Crystal: Ang ultra-hinay nga pagtubo sa rate (<3 mm / h) pagsiguro sa ubos nga pagkalaglag sa densidad ug integridad nga nag-inusara.
Ang kini nga pinino nga "slowurium kritikal alang sa mga advanced nga aplikasyon, lakip ang mga infrared detector, cdte nipis nga mga selula sa solar, ug semiconductor.

Mga Sumbanan:
nagpasabut sa eksperimento nga datos gikan sa mga pagtuon nga gisusi sa mga peer sa paglimpyo sa telaurium.