Detalji procesa rasta i pročišćavanja kristalnog i pročišćavanja Tellurium sa tehničkim parametrima

Proces pročišćavanja pročišćavanja 7N kombinira rafiniranje zona i srednja kristalizacije tehnologija. Ključni detalji procesa i parametri su navedeni u nastavku:

1. Proces rafiniranja zona
Dizajn opreme

Višeslojni trkački čamci za topljenje: promjer 300-500 mm, visina 50-80 mm, izrađena od kvarc ili grafita visokog čistoće.
Sustav grijanja: polukružne otporne zavojnice s preciznošću kontrole temperature od ± 0,5 ° C i maksimalna radna temperatura od 850 ° C.
Ključni parametri

Vakuum: ≤1 × 10⁻³ PA Kroz cijeli za sprečavanje oksidacije i kontaminacije.
Zone Brzina putovanja: 2-5 mm / h (jednosmjerna rotacija putem pogonskog vratila).
Gradijent temperature: 725 ± 5 ° C Na gornjoj zoni, hlađenje na <500 ° C na zadnjem rubu.
Prolazi: 10-15 ciklusa; Efikasnost uklanjanja> 99,9% za nečistoće sa segregacijskim koeficijentima <0,1 (npr. Cu, PB).
2. Proces usmjerenog kristalizacije
Preparat za rastopanje

Materijal: 5n Tellurij pročišćeni putem rafiniranja zona.
Uvjeti topljenja: rastopljeni pod inertnim AR plinom (≥99.999% čistoće) na 500-520 ° C koristeći visokofrekventno indukcijsko grijanje.
Zaštita topline: grafitni poklopac visoke čistoće za suzbijanje volatilizacije; Dubina rastaljenih bazena održavana na 80-120 mm.
Kontrola kristalizacije

Stopa rasta: 1-3 mm / h sa vertikalnom gradijentom temperature od 30-50 ° C / cm.
Sustav hlađenja: bakrena baza za hlađenje vode za prisilno donje hlađenje; zračenje hlađenje na vrhu.
Negregacija nečistoće: Fe, NI i druge nečistoće obogaćene su na graničnim granicama nakon 3-5 ciklusa ponovnog spavanja, smanjujući koncentracije na razine PPB-a.
3. Metrike kontrole kvaliteta
Standardna vrijednost parametara
Konačna čistoća ≥99.99999% (7N)
Ukupne metalne nečistoće ≤0,1 ppm
Sadržaj kisika ≤5 ppm
Kristalno orijentacijsko odstupanje ≤2 °
Otpornost (300 k) 0,1-0,3 ω · cm
Prednosti procesa
Skalabilnost: Višeslojni trkački brodovi za topljenje povećavaju serijski kapacitet za 3-5 × u odnosu na konvencionalne dizajne.
Efikasnost: Precizno vakuumsko i toplotno upravljanje omogućavaju visoku stopu uklanjanja nečistoća.
Kvalitet kristala: Ultra sporo rast (<3 mm / h) osiguravaju nisku dislokalnu gustoću i cjelokudni integritet.
Ovaj rafinirani 7N Tellurium kritičan je za napredne aplikacije, uključujući infracrvene detektore, CDTE tanke solarne ćelije i poluvodičke podloge.

Reference:
Označite eksperimentalne podatke iz recenziranih studija o pročišćavanju Telluriuh.